目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3DXPoint芯片外还有ReRAM芯片（非易失性阻变式存储器）。2016年3月，Crossbar公司宣告与中芯国际达成协议合作，发力中国市场。其中，中芯国际将使用自家的40nmCMOS试产ReRAM芯片。
近日，两者合作的结晶再一问世，中芯国际月出样40nm工艺的ReRAM芯片。据介绍，这种芯片比NAND芯片性能更加强劲，密度比DRAM内存低40倍，加载速度快100倍，载入速度快1000倍，耐久度低1000倍，单芯片（200mm2左右）才可构建TB级存储，还不具备结构非常简单、更容易生产等优点。另外，按计划更加先进设备的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。
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